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深圳市三佛科技有限公司供應100V 3A  SOT-89 MOS管3N10，HN03N10D原裝*，庫存現貨*

HN03N10D參數：100V 3A  SOT-89 N溝道 MOS管/場效應管

品牌：HN
型號：HN03N10D
VDS：100V
IDS：3A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道

HN03N10D原裝*,HN03N10D現貨*供應
HN03N10D為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN03N10D實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN03N10D產品應用于：LED燈去頻閃，香薰機，加濕器 ，LED電源，充電器，小家電，電源
售后服務：公司免費提供HHN03N10D樣品，并提供產品運用的技術支持

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【30V MOS N/P溝道】
HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N溝道 MOS管 

HN20N03DA：30V 20A TO-252   N溝道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N溝道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N溝道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P溝道  MOS管 
HN20P03 ： SOT-89  -30V -20A  P溝道 MOS管 
HN20P03 ： TO-252  -30V -20A  P溝道 MOS管 
HN16P03 ：-30V -16A  DFN3.3*3.3  P溝道 MOS管 
HN30P03 -30V -30A DFN3*3-8  P溝道 MOS管 

 深圳市三佛科技有限公司是一家致力于電子元器件行業的大型代理分銷機構,經營的產品有：集成電路、單片機、二極管、三極管、MOS管、可控硅、 數據收發模塊等。 公司主要經營和代理歐美品牌有：FREESCALE、intersil、infineon、Altera、TI、AD、IR、ON、Fairchild、ST、ATMEL、XILINX、NXP、PHILIPS、MOTOROLA、 NATIONAL 、SEMICONDUCTOR、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、AOS等IC 。同時代理銷售中國臺灣富鼎*(APEC),遠翔，成啟，華潤華晶，長電，新潔能品牌的MOS管，芯茂微 電源管理芯片，二，三極管及驅動IC。  真誠為客戶提供原裝*。

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。P溝道MOS管集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。