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深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) FIR3N10MTG 100V SOT-89 MOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨*

 FIR3N10MTG 參數(shù)：100V 8A SOT-89  MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管， N溝道

品牌： 福斯特
型號(hào)：FIR3N10MTG
VDS：100V
IDS： 8A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
FIR3N10MTG原裝*,FIR3N10MTG現(xiàn)貨*供應(yīng)

 HN0801可以替代FIR3N10MTG

 HN0801參數(shù)：100V 8A SOT-89  MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管， N溝道

HN0801結(jié)合了*的溝槽，低電阻封裝的MOSFET技術(shù)，提供極低的無(wú)線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)（開）。此設(shè)備非常適合電源切換應(yīng)用和LED背光。

HN0801為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，HN0801實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，HN0801產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用 于小家電，霧化器，加濕器，電源
100V MOS管，HN0801參數(shù)：100V 8A SOT-89 N溝道MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管
品牌：HN
型號(hào)：HN0801
VDS：100V  
IDS：8A  
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
HN0801原裝*,HN0801現(xiàn)貨*供應(yīng)

 售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供HN0801樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。

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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

 P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術(shù)。

FIR3N10MTG 100V SOT-89 MOS  替代型號(hào)  HN0801 產(chǎn)品*