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[供應]AP6N090G 60V SOT-89 MOS
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  • AP6N090G 60V SOT-89  MOS
貨物所在地:
廣東深圳市
更新時間:
2025-03-27 09:23:54
有效期:
2025年3月27日 -- 2026年3月27日
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61
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產品簡介

深圳市三佛科技有限公司 供應AP6N090G 60V SOT-89 MOS,原裝,庫存現貨*

詳細介紹

深圳市三佛科技有限公司 供應AP6N090G 60V SOT-89  MOS,原裝,庫存現貨*

 AP6N090G參數:60V 2.7A SOT-89  MOS管/場效應管, N溝道

富鼎* 代理商

 品牌: 富鼎*APEC
型號:AP6N090G
VDS:60V 
IDS:2.7A 
封裝:SOT-89
溝道:N溝道
AP6N090G原裝*,AP6N090G現貨*供應。

HN0801可以替代AP6N090G

 HN0801參數:100V 8A SOT-89  MOS管/場效應管, N溝道

HN0801結合了*的溝槽,低電阻封裝的MOSFET技術,提供極低的無線電數據系統(開)。此設備非常適合電源切換應用和LED背光。

 售后服務:公司免費提供HN0801樣品,并提供產品運用的技術支持。

 阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買。

MOS場效應三極管分為:增強型(又有N溝道、P溝道之分)及耗盡型(分有N溝道、P溝道)。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中:電極 D(Drain) 稱為漏極,相當雙極型三極管的集電極;

電極 G(Gate) 稱為柵極,相當于的基極;

電極 S(Source)稱為源極,相當于發射極。

N溝道增強型MOS場效應管結構
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個高摻雜濃度的N+區,并用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B,這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

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