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[供應]AP2338GN 富鼎*
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  • AP2338GN 富鼎*
貨物所在地:
廣東深圳市
更新時間:
2025-03-27 09:23:47
有效期:
2025年3月27日 -- 2026年3月27日
已獲點擊:
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產品簡介

深圳市三佛科技有限公司 供應 AP2338GN 富鼎* ,原裝,庫存現貨*

詳細介紹

深圳市三佛科技有限公司 供應 AP2338GN 富鼎* ,原裝,庫存現貨*

AP2338GN參數: 30V  5A   SOT23        N溝道 MOS管/場效應管  

 品牌:富鼎*APEC
型號:AP2338GN
VDS: 30V
IDS: 5A
封裝: SOT-23
溝道:N溝道
AP2338GN原裝現貨,AP2338GN優勢*

HN3400可以替代AP2338GN

 HN3400為低壓MOS:30V,N溝道,大電流,小封裝MOS,HN3400實際電壓可以達到30V,可以滿足LED電源,充電器,小家電等需要低壓,大電流,小封裝的要求,
HN3400產品質量穩定,廣泛運用于LED電源,充電器,小家電,游戲機,電源,混色LED燈等電子產品。

品牌:HN
型號:HN3400
VDS: 30V
IDS: 5.8A
封裝: SOT-23
溝道:N溝道
HN3400,原裝現貨,HN3400,優勢*

 HN3400,HN3400B可以替代型號:AO3400,A03400,AP2306AGN,AP2338GN,AP2316GN,AP2326GN,CJK3400A,CJ2306,CJ3400,,CJ3404,CJ3434,Si2338DS,Si2372DS,Si2366DS,Si2336DS。
阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買。

 AP2338GN 富鼎* 產品*

 

 N溝道增強型MOS場效應管結構
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個高摻雜濃度的N+區,并用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B,這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

 

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