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深圳市三佛科技有限公司 供應 SMS3415 -20V -4A MOS，原裝，庫存現貨*

 SMS3415 參數：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管 

型號：SMS3415
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
溝道：P溝道
種類：絕緣柵(MOSFET)
SMS3415原裝現貨，SMS3415優勢*

 HN3415D 可以替代  SMS3415 

 HN3415D采用*的溝道技術，提供優良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設備適用于負載開關或脈寬調制應用。它是防靜電的
應用：脈寬調制應用，負載開關，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包

 HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管  帶ESD靜電保護
品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護：1500V
HN3415D原裝現貨，HN3415D優勢*
HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板。

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 HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設備等產品上。

售后：免費提供樣品，和產品技術支持。
阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。 
HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID

MOS場效應管 直流參數：
飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏
源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。
夾斷電壓UP它可定義為：當UDS一定時，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啟電壓UT它可定義為：當UDS一定時，使ID到達某一個數值時所需的UGS。

SMS3415 -20V -4A MOS ，HN3415D 可以替代  SMS3415