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深圳市三佛科技有限公司 供應 APM2054NDC-TR 20V 5A SOT-89 MOS，原裝，庫存現貨*

 APM2054NDC-TR  參數：20V 5A SOT-89 MOS/場效應管

型號：APM2054NDC-TR
VDS: 20V
IDS:   5A 
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
APM2054NDC-TR原裝*，APM2054NDC-TR優勢*

 HN20N03 可以替代  APM2054NDC-TR

 HN20N03 參數：30V 20A SOT-89 MOS/場效應管

品牌：HN
型號：HN20N03
VDS: 30V
IDS:  20A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
HN20N03原裝現貨，HN20N03優勢*

 HN20N03為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN20N03實際電流可以達到20A，可以滿足LED電源，充電器，快充，旅充，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN20N03產品質量穩定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產品

 可以配合德信EUP3468A,EUP3468B,PI快充CHY100,CHY100D,BQ24157,BQ24158,HE41201,Fairchild的

 HN20N03可以替代：AP2N050G，AP9452GG，2SK1579，2SK3078，APM2054NDC-TR，WST3098，DTC3058，，TDM3426，TDM3426B，DTC3056，HL20N04，2SK1588-T1，XP161A1355PR-G，NCE3008MHS20N03DA，AP20T03GH，AP20T03GJ ，AP76T03AGMT，AP20T03GH，HS20N03，AP9452GG，CJA9452，AP2N050G，AO5404E 

 MOS場效應管電源開關電路
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極管截止。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處與截止狀態（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。