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[供應]20V 4A MOS P管 華能 HN3415
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  • 20V 4A MOS P管 華能 HN3415
貨物所在地:
廣東深圳市
更新時間:
2025-03-27 09:22:22
有效期:
2025年3月27日 -- 2026年3月27日
已獲點擊:
28
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產品簡介

深圳市三佛科技有限公司 供應 20V 4A MOS P管 華能 HN3415,原裝,庫存現貨*

詳細介紹

深圳市三佛科技有限公司 供應  20V 4A MOS P管 華能 HN3415,原裝,庫存現貨*

 HN3415參數:-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管  帶ESD靜電保護
品牌:HN
型號:HN3415D
主要參數:-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝:SOT-23
ESD保護:1500V
HN3415D原裝現貨,HN3415D優勢*
HN3415D廣泛運用于電源,充電頭,控制板,計算機,家電,通訊設備等產品上。

售后:免費提供樣品,和產品技術支持。
阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買。 
HN3415替代:AO3423,NCE3415,CJ3415,NCE3415Y,HM3415E,AP2309GEN,MK3415,HM341,AO3415。

 

 

 場效應管工作原理:就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

 

 20V 4A MOS P管 華能 HN3415 產品*

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