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深圳市三佛科技有限公司 供應 30V SOT23 貼片MOS HN3400，原裝，庫存現貨*

 HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管/場效應管  

HN3400為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN3400實際電壓可以達到30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3400產品質量穩定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，，電源，混色LED燈等電子產品。

 品牌：HN
型號：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
HN3400,原裝現貨，HN3400,優勢*

 我司可以免費提供HN3400樣品。

 HN3400,HN3400B可以替代型號：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS。

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 【30V MOS N/P溝道 推薦：】
HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N溝道 MOS管
HN20N03DA：30V 20A TO-252   N溝道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N溝道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N溝道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P溝道  MOS管 

 場效應管工作原理：就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

30V SOT23 貼片MOS HN3400 產品*