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深圳市三佛科技有限公司  20V 4A PMOS 帶ESD保護(hù) HN3415，原裝，庫存現(xiàn)貨*

 HN3415D采用*的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設(shè)備適用于負(fù)載開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用。它是防靜電的
應(yīng)用：脈寬調(diào)制應(yīng)用，負(fù)載開關(guān)，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產(chǎn)品●表面安裝包

 HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應(yīng)管  帶ESD靜電保護(hù)
品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數(shù)：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護(hù)：1500V
HN3415D原裝現(xiàn)貨，HN3415D優(yōu)勢*
HN3415D廣泛運(yùn)用于電源，充電頭，控制板，計算機(jī)，家電，通訊設(shè)備等產(chǎn)品上。

售后：免費(fèi)提供樣品，和產(chǎn)品技術(shù)支持。

阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司
HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 分析N溝道EMOS管：

N結(jié)的形成是因?yàn)殡娮訛檩d流子，沒有形成共價鍵的電子便成為了載流子。

1.當(dāng)柵極G引腳懸空時，漏極D和源極S相當(dāng)于一根導(dǎo)線，載流子為游離的電子；（電流較小）

2.當(dāng)柵極G引腳接低電平，漏極和源極隨便哪一個極接高電平時，G和N或G和S之間的PN結(jié)就反偏，反偏那么GD或GS之間就不會導(dǎo)通，還會導(dǎo)致PN結(jié)向中間擴(kuò)展當(dāng)中間全部被PN結(jié)覆蓋時就意味著阻斷了D極和S極之間的通路。

結(jié)論：N溝道EMOS管的柵極G接低電平時，PN結(jié)反偏，當(dāng)反偏電壓加載到反偏截至區(qū)時DS之間就不會導(dǎo)通（D極或S極接高電平）

3.當(dāng)柵極G引腳接高電平，漏極D或源極隨便哪一個接低電平時，導(dǎo)通電壓Vgd或Vgs滿足時，漏極D和源極S之間就導(dǎo)通，并且是大電流導(dǎo)通，因?yàn)槟憔褪遣唤覩極時，DS之間也會有電流，但是沒有電流放大作用，在G極接高電平時就對電流經(jīng)行了放大，并且在G極接低電平，S極或D極接高電平時，SD之間截至。

結(jié)論：N溝道EMOS管的柵極接高水平時，PN結(jié)正偏導(dǎo)通，對電流有放大作用。

20V 4A PMOS 帶ESD保護(hù) HN3415 產(chǎn)品*