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M區支架模體

>>>說明書<<<

1. M區支架電子線時雜散輻射的檢測方法

M區支架主要測量機頭M區內外泄露輻射，支架根據WS674的方法在不同位置的孔內放射熱釋光劑量片來測量泄漏輻射劑量應在模體中測量，模體各邊比照射野至少大5cm；模體的深度至少比測量深度大5 cm，入射表面垂直于參考軸，放置在正常治療距離。

在最大照射野下，給出的電子能量分別測量雜散 X 射線占總吸收劑量的劑量比。

圖A. 1 M區支架示意圖

A. 1. X 射線照射時相對表面劑量檢測方法

應在模體中測量，模體各邊比照射野至少大5cm；模體的深度至少比測量深度大5cm，入射表面垂直于參考軸，探測器放置在正常治療距離。

應從輻射束中移開所有不用工具就可取下的輻射束形成裝置，所有均整過濾器應留 在其規定位置上，在最大照射野下，對表 2 中給出的電子能量分別測量相對表面劑量。

A.2. 透過限束裝置的泄漏輻射檢測方法

A.2. 1. X 射線穿過限束裝置 測量條件如下：

用至少 2 個十分之一值層的 X 射線吸收材料將射線出線口屏蔽 。對非重疊式限束裝置，應在最小照射野尺寸下測量；

最大泄漏輻射處用輻射探測器測量，輻射探測器的橫截面應≤1cm2；

應在模體中最大吸收劑量深度處測量。

漏輻射測量按如下方法進行：

將矩形照射野對稱地設定成最大（X 方向） 乘最小（Y 方向） ；

用輻射探測器測量 24 個點 ，確定其平均值 ，求出相對于最大吸收劑量的百分比值；

再對稱地設定最小（X 方向） 乘最大（Y 方向） 照射野 ，重復 A.3. 1.2 b） 的檢測；

對所有的 X 射線能量 ，重復上述測量。

如果有一個多元限束裝置 ，則打開可調節或可互換的限束裝置， 以產生一個面積約為 300 cm2（約 18 cm×18 cm） 的正方形照射野 。把多元限束裝置關閉到與該照射野協調一致的最小值 ，用輻射探測器測量多元限束裝置屏蔽的區域。

A.2.2. 電子線穿過限束裝置 測量條件如下：

用 10 mm 與組織等效的材料作為建成模擬構成，對所有尺寸的電子束限束器/限束系統，在對應的最大和最小能量下，基于型式試驗中規定的電子能量所測數據的最不利組合下，在正常治療距離處做射線攝影；

在幾何照射周邊外 2cm 處的線和 M 區域邊界之間區域中定出最大吸收劑量點的位置；

用一橫截面不大于 1 cm2 的輻射探測器進行測量，探頭對于從輻射探測器下面的物質散射的輻射要有足夠的防護。

按如下方法進行測量：

在M區中，沿八條分割線（見圖 A.2） 以 2 cm 的間隔，從幾何照射野周邊外 5 cm 的點到 M 邊 界內，用輻射探測器測量；

對每個電子束限束器/限束系統，確定輻射探測器讀數的平均值對應參考軸上正常治療距離處最大吸收劑量的百分比值。

A.2.3. M 區域外的泄漏輻射測量（中子除外） 測量條件如下：

基于型式實驗結果，在給出最大泄漏輻射的組合條件下；

在所有的 X 射線能量和在最高的電子線能量下，確定最大泄漏輻射的點，在這些點 上用輻射探測器測量。

按如下方法進行測量：

在圖 A.3 中給出的 41 處位置上 ，用輻射探測器測量；

用 24 個測量值的平均值確定泄漏輻射平均吸收劑量的百分比值。

表 A. 1   模體配置清單