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產品簡介
源表搭建半導體場效應晶體管IV特性測試實驗的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本 I-V 特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。在半導體制程的多個階段都有應用，如金屬
詳細介紹
半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。 直流 I-V 測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎，通常使用 I-V 特性分析或 I-V 曲線來決定器件的基本參數。
源表搭建半導體場效應晶體管IV特性測試實驗的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本 I-V 特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。在半導體制程的多個階段都有應用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測試等。
普賽斯儀表 開發的半導體分立器件 I-V 特性測試方案，由一臺或兩臺源精密源測量單元（ SMU ）、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口 MOSFET 器件為例，配套以下設備：
兩臺 S 型數字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺
三同軸 T 型頭
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需要測試的參數：
輸出特性曲線
轉移特性曲線
跨導 gm
擊穿電壓 BVDS
需要儀器列表：
SMU 源表
探針臺或夾具
普賽斯上位機軟件
高校相關專業
測控，微電子
電氣，自動化，機械
所有開設模擬電路課程的專業
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