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雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.
雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。
采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：pc軟件進行數據管理和處理.
雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國a.s.t.m標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.采用了四探針雙電測組合(亦稱雙位組合)測量新技術,將范德堡測量方法推廣應用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響進行動態的自動修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測量結果的準確度。所有這些，用目前大量使用的常規四探針測量方法所生產的儀器是無法實現的。
滿足標準：
1.硅片電阻率測量的國際標準（ASTM F84）.
2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.
3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.
4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.
功能描述
電 阻：1×10-5～2×105Ω
電導率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率： 小1μΩ
測量誤差±5%
2、測量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V
測量精度±（0.1%讀數）
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
3、⑴電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續可調，由交流電源供電。
⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,
⑶誤差：±0.2%讀數±2字
4. 主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm
5、顯示方式：液晶顯示6、電源：220±10% 50HZ/60HZ
7、標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。
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