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[供應]ME-L-穆勒矩陣型橢偏儀
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  • ME-L-穆勒矩陣型橢偏儀
貨物所在地:
江蘇南京市
更新時間:
2021-08-17 21:00:08
有效期:
2021年8月17日 -- 2022年2月17日
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產品簡介

ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀,凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入,其采用行業前沿的創新技術,包括消色差補償器、雙旋轉補償器同步控制、穆勒矩陣數據分析等。 可應用于各種各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數...

詳細介紹

一、概述

       ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀,凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入,其采用行業的創新技術,具備 1  全穆勒矩陣測量技術, 2  雙旋轉補償器同步控制技術,3  超級消色差補償器設計技術,4  納米光柵表征測量技術   等技術。可應用于各種各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數以及一維/二維納米光柵材料結構的表征分析,代表當今橢偏行業技術水平。

1. 雙旋轉補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個元素;

2. 配置自動變角器、五維樣件控制平臺等優質硬件模塊;

3. 軟件交互式界面配合輔助向導式設計,易上手、操作便捷;

4. 豐富的數據庫和幾何結構模型庫,保證強大數據分析能力

二、穆勒矩陣型橢偏儀產品特點

1. 采用氘燈和鹵素燈復合光源,光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm);

2. 可實現穆勒矩陣數據處理,測量信息量更大,測量速度快、數據更加準確

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3. 基于雙旋轉補償器配置,可一次測量獲得全穆勒矩陣的16個元素,相對傳統光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面測量信息;

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4. 頤光技術確保在寬光譜范圍內,提供優質穩定的各波段光譜;

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5. 數百種材料數據庫、多種算法模型庫,涵蓋了目前絕大部分的光電材料;

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6. 集成對納米光柵的分析,可同時測量分析納米結構周期、線寬、線高、側壁角、粗糙度等幾何形貌信息;

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三、產品應用

1. 半導體薄膜結構:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等;

2. 半導體周期性納米結構:納米光柵,套刻誤差,T型相變存儲器等;

3. 新材料,新物理現象研究:材料光學各向異性,電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等;

4. 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;

5. 光伏太陽能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等)反射率,消光系數測量,膜層厚度及表面粗糙度測量等;

6. 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;

7. 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等;

8. 塊狀材料分析:固體(金屬、半導體、介質等)或液體(純凈物或混合物)的折射率n和消光系數k表征,玻璃新品研發和質量控制等。

 

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