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拉弧式螺柱焊的電流相對(duì)較?。?00-1500A），但焊接時(shí)間更長(zhǎng)（5-2000 ms），因此熔池較深，焊接變形較大。較深的熔池如果焊接薄板則容易造成穿透（焊接大直徑螺柱時(shí)），一般要求小板厚為螺柱直徑的1/4。而服務(wù)器機(jī)柜的深大于等于800mm。網(wǎng)絡(luò)機(jī)柜應(yīng)便于生產(chǎn)，組裝，調(diào)試和包裝運(yùn)輸。服務(wù)器機(jī)柜應(yīng)合乎標(biāo)準(zhǔn)化，規(guī)格化，系列化的要求。機(jī)柜造型美觀，適用，色彩協(xié)調(diào)。⒋繼電器控制面板，敏感液晶顯示屏的冷卻，恒溫⒌數(shù)控加工中心電子控制裝置的冷卻⒍CCTV鏡頭的降溫及灰塵，水汽的吹除。

12 .額定功率：在特定的環(huán)境溫度85℃下工作1000小時(shí)，使壓敏電壓變化小于10%的大功率。13 .大沖擊電流(8/20us):以特定的脈沖電流(8/20us波形)沖擊壓敏電阻器一次或兩次（每次間隔5分鐘），使的壓敏電壓變化仍在10%以?xún)?nèi)的大沖擊電流。理線(xiàn)架：19"標(biāo)準(zhǔn)理線(xiàn)架?？膳浜先魏我环NTOPER系列機(jī)柜使用。12孔理線(xiàn)架配合12口，24口，48口配線(xiàn)架使用效果佳。這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通，若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給。則MOSFET導(dǎo)通若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u*的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。

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