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真空吸盤可繞Z軸旋轉，噴嘴可沿X、Y、Z移動，國產諧波減速機廠家CSF-25-160-2A-GR圍繞Z旋轉。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠，這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。國產諧波減速機廠家CSF-25-160-2A-GR邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能中“背面EBR"裝置為邊緣光刻膠的去除裝置。

軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強光刻膠的粘附性、釋放旋轉涂膠產生的內應力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進行

一般來說，互連材料淀積在硅片表面，然后有選擇性地去除它，就形成了由光刻技術定義的電路圖形。這種有選擇性地去除材料的工藝過程，叫做刻蝕，在顯影檢查完后進行，刻蝕工藝的正確進行非常關鍵，否則芯片將不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蝕去掉，在刻蝕過程中所犯的錯誤將難以糾正。刻蝕的要求取決于要制作的特征圖形的類型，如合金復合層、多晶硅柵、隔離硅槽或介質通孔。

光刻包括兩種基本的工藝類型：負性光刻和正性光刻。負性光刻把與掩模版上圖形相反的圖形復制到硅片表面。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區別在于所用光刻膠的種類不同。光刻工藝過程包括8個基本步驟：氣相成底模、旋轉涂膠、軟烘、對準和曝光、曝光后烘培、顯影、堅膜烘培、顯影檢查。