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B1505A功率半導體器件分析儀
主要特性與技術指標
適合功率器件表征的綜合解決方案，高達 1500 A 和 10 kV
中等電流測量和高電壓偏置（例如，500 mA，1200 V）
μΩ 導通電阻測量功能
高電壓偏置時，可進行精確的 sub-pA 電平電流測量
在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 溫度范圍內進行全自動熱
產品簡介
詳細介紹
B1505A功率半導體器件分析儀
| 主要特性與技術指標 | ||||||||
| 適合功率器件表征的綜合解決方案，高達 1500 A 和 10 kV | ||||||||
| 中等電流測量和高電壓偏置（例如，500 mA，1200 V） | ||||||||
| μΩ 導通電阻測量功能 | ||||||||
| 高電壓偏置時，可進行精確的 sub-pA 電平電流測量 | ||||||||
| 在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 溫度范圍內進行全自動熱測試 | ||||||||
| 廣泛的器件測量功能 | ||||||||
| 可在高達 3000 V 直流偏置時執行全自動電容測量（Ciss、Coss、Crss 等） | ||||||||
| 10 μs 高功率脈沖測量 | ||||||||
| 封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵極電荷測量 | ||||||||
| 高電壓/強電流快速切換選件，適用于 GaN 電流崩塌效應表征 | ||||||||
| 多達 5 個高電壓（3 kV）電源/測量通道，提供的靈活性 | ||||||||
| 多達 5 個高電壓（3 kV）電源/測量通道，提供的靈活性 | ||||||||
| 改進的測量效率 | ||||||||
| 在高電壓和強電流測量之間自動切換，無需重新布線 | ||||||||
| 自動測試電路形成，可用于封裝器件和晶圓上器件的晶體管結電容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）測量 | ||||||||
| 具有互鎖機制的標準測試夾具，可進行封裝功率器件測試 | ||||||||
| 支持高達 200 A 和 10 kV 的高功率晶圓上測試 | ||||||||
| 示波器視圖支持對應用電壓和電流波形的驗證 | ||||||||
| MS Windows EasyEXPERT 軟件簡化了數據管理和分析流程 | ||||||||
可升級和可擴展的硬件體系結 構 | ||||||||
| 廣泛的測量模塊選擇 | ||||||||
支持具有高達 6 個連接引腳的高功率器件 B1505A功率半導體器件分析儀 | ||||||||