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隨著傳感器制造商對(duì)MR傳感器技術(shù)的持續(xù)推動(dòng)，設(shè)計(jì)工程師對(duì)于電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備開(kāi)關(guān)將擁有更多的傳感器技術(shù)選擇方案。這些AMR固態(tài)傳感器不存在活動(dòng)部件，因此更加可靠耐用;尺寸比磁簧開(kāi)關(guān)更小，且具有相同的靈敏度范圍。這些特性使設(shè)計(jì)工程師能夠開(kāi)發(fā)出尺寸更小、更可靠、質(zhì)量更高且傳感器部件幾乎無(wú)需功耗的電氣用具和裝置。觸點(diǎn)反彈"會(huì)導(dǎo)致多次通斷循環(huán)(斷/通/斷)，為使用磁簧開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)各種問(wèn)題。為了解決這個(gè)問(wèn)題，工程師需要在硬件或軟件中實(shí)施“去反彈"功能，從而增加了系統(tǒng)的額外風(fēng)險(xiǎn)和設(shè)計(jì)工程師的開(kāi)發(fā)周期。　MR傳感器消除了所有這些問(wèn)題。作為一種封裝在模塑塑料外殼中的固態(tài)傳感器，MR傳感器沒(méi)有活動(dòng)部件，幾乎不會(huì)損壞和磨損。磁簧開(kāi)關(guān)相對(duì)較大的尺寸使其成為產(chǎn)品微型化的一個(gè)短板。對(duì)比磁簧開(kāi)關(guān)和具有相同傳感范圍的AMR傳感器可以發(fā)現(xiàn)，磁簧開(kāi)關(guān)的尺寸遠(yuǎn)大于采用SOT-23封裝的MR傳感器(2.9 mm x 2.8 mm x 1.45 mm)。AMR傳感器相對(duì)較小的尺寸迎合了產(chǎn)品微型化的發(fā)展趨勢(shì)，降低了應(yīng)用成本并增加了新應(yīng)用的可能性。磁簧開(kāi)關(guān)有許多內(nèi)在的劣勢(shì)，包括在安裝及有振動(dòng)和沖擊的應(yīng)用中易于損壞、耐用性較差、使用壽命有限(由于機(jī)械磨損產(chǎn)生)，以及由于“接觸反彈"造成的可靠性問(wèn)題等。　可靠性和耐用性對(duì)磁簧開(kāi)關(guān)的使用者來(lái)說(shuō)是一個(gè)挑戰(zhàn)。當(dāng)磁簧開(kāi)關(guān)的導(dǎo)線(xiàn)焊接在電路上時(shí)，它們會(huì)產(chǎn)生彎曲，從而容易破裂開(kāi)關(guān)的封裝玻璃管，致使開(kāi)關(guān)不能使用。事實(shí)上，這種開(kāi)關(guān)損壞事件非常頻繁，磁簧開(kāi)關(guān)制造商需要提供非常詳細(xì)的安裝說(shuō)明以限制這種損壞的發(fā)生。其中解決方案之一是將磁簧開(kāi)關(guān)放入一個(gè)塑料套管內(nèi)，但這樣會(huì)增加開(kāi)關(guān)的成本和尺寸。磁簧開(kāi)關(guān)還會(huì)受到振動(dòng)和沖擊的影響，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)的觸點(diǎn)分離，嚴(yán)重影響元件的可靠性，并且機(jī)械式磁簧開(kāi)關(guān)會(huì)隨著時(shí)間的推移而產(chǎn)生磨損。因此，手機(jī)設(shè)計(jì)工程師轉(zhuǎn)向了霍爾效應(yīng)傳感器。磁性傳感器是沒(méi)有活動(dòng)部件的固態(tài)裝置，因此不會(huì)隨著時(shí)間的推移而產(chǎn)生磨損，并且還采用了塑料模塑外殼封裝，而磁簧開(kāi)關(guān)則需封裝在玻璃管或外殼中。直至21世紀(jì)初期，磁性傳感器的功耗均在毫安級(jí)，因此被認(rèn)為無(wú)法適用于任何低功耗的應(yīng)用。在這個(gè)時(shí)期前后，電氣工程師開(kāi)始采用CMOS技術(shù)，使磁性傳感器設(shè)計(jì)工程師可以在傳感器中內(nèi)置時(shí)鐘，從而賦予了傳感器睡眠/喚醒模式，以降低傳感器的功耗。　隨著技術(shù)的發(fā)展，磁性傳感器的功耗已經(jīng)下降到個(gè)位數(shù)微安級(jí)。例如，目前霍爾效應(yīng)傳感器的功耗僅為3-8 A，具體取決于制造商和元器件。新型MR傳感器技術(shù)的功耗僅為360 nA，從而使MR傳感器可替代大多數(shù)電池供電設(shè)備中的磁簧開(kāi)關(guān)，所需功耗甚至還不到同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的1/10。目前，隨著制造商推動(dòng)磁阻技術(shù)的發(fā)展，磁簧開(kāi)關(guān)已經(jīng)不再是高靈敏度開(kāi)關(guān)的選擇。例如，霍尼韋爾新款Nanopower AMR傳感器IC(SM351LT和SM353LT)能夠提供與磁簧開(kāi)關(guān)相同或更高的靈敏度。超高靈敏度產(chǎn)品SM351LT的動(dòng)作靈敏度典型值為7G，大值為11G。高靈敏度產(chǎn)品SM353LT的動(dòng)作靈敏度典型值為11G，大值為20G。這意味著這些MR傳感器的靈敏度已經(jīng)比對(duì)應(yīng)的高靈敏度磁簧開(kāi)關(guān)相同或更高。磁簧開(kāi)關(guān)能為有低功耗要求的電池供電應(yīng)用提供所需的高靈敏度范圍。磁簧開(kāi)關(guān)的磁性靈敏度以安匝 (AT) 數(shù)衡量，而MR傳感器的靈敏度以高斯 (G) 為單位進(jìn)行衡量。以10AT的高靈敏度磁簧開(kāi)關(guān)為例，它相當(dāng)于10-20G靈敏度的磁性傳感器。例如，霍爾效應(yīng)傳感器的靈敏度典型值約為30G。這意味在檢測(cè)相同磁體時(shí)，磁簧開(kāi)關(guān)的傳感距離是高靈敏度霍爾效應(yīng)傳感器的兩倍或更多，從而為大氣隙要求的應(yīng)用提供更高的設(shè)計(jì)靈活性。但磁簧開(kāi)關(guān)也有一些缺點(diǎn)，這些缺點(diǎn)將在下文進(jìn)行探討。高靈敏度磁性傳感器使制造商可以使用更小或磁性更弱的磁體，從而可以降低產(chǎn)品成本并實(shí)現(xiàn)更小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。在過(guò)去數(shù)年里，隨著稀土磁體價(jià)格的飆升，磁體價(jià)格在產(chǎn)品設(shè)計(jì)成本考量中愈發(fā)重要。MR傳感器的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是允許大氣隙，使得設(shè)計(jì)工程師能將傳感器放置在離磁體更遠(yuǎn)的地方，且依然可保持可靠性，從而提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。anopower AMR傳感器可用于防止對(duì)通用電表的人為篡改。兩個(gè)沿180度對(duì)稱(chēng)安裝的傳感器用于檢測(cè)是否有外部磁體試圖改變流量測(cè)量的準(zhǔn)確度。Nanopower AMR傳感器可用于檢測(cè)速度/扭矩選擇器的開(kāi)關(guān)位置，還可用于確認(rèn)電池是否正確安裝。同霍爾傳感器一樣，MR傳感器也是一種固態(tài)磁性傳感器。其中主要的不同在于MR傳感器在平行于傳感元件的平面上感測(cè)目標(biāo)物，而霍爾效應(yīng)傳感器在垂直于傳感元件的方向上感測(cè)目標(biāo)物，通常MR傳感器的靈敏度遠(yuǎn)大于霍爾傳感器。這使MR傳感器幾乎可用于所有的電池供電應(yīng)用領(lǐng)域。在電池供電產(chǎn)品應(yīng)用中，設(shè)計(jì)工程師之所以應(yīng)考慮用MR傳感器替代磁簧開(kāi)關(guān)主要有四個(gè)原因，即高靈敏度、低功耗、小尺寸和固有的固態(tài)傳感器優(yōu)勢(shì)。西門(mén)子PLC CPU ET200模塊西門(mén)子PLC CPU ET200模塊