美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。

大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養物相比，它們可用作在更接近人體的環境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創建一個更貼近自然地環境，以模擬健康和疾病狀態的大腦功能。 這項新技術將推動創傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統

該細胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統使研究人員能夠可重復且可靠地研究生理和病理機械拉伸對生物組織電生理的影響。該系統集成：（1）細胞拉伸設備；（2）電生理數據采集系統；（3）活細胞成像系統三種功能。系統小巧，可放入培養箱內長期培養，每個模塊都可以作為獨立工具使用。

該細胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統是研究人員以機械方式拉伸細胞/組織，對其進行光學成像以及單獨/同時記錄/刺激電生理活動的完整解決方案。

技術特點概述：

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應變場
★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
★高達50％的應變
★應變速率高達80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復性

-細胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數據采集記錄

MEASSURE-Mini

1. 力學模塊：應變率高達 1/s，應變高達 20%

2. 成像模塊：幀率：150fps

3. 電生理模塊： 2x60 通道

應用：生理細胞拉伸

• 組織工程、再生醫學

• 器官芯片，臨床前藥物開發

• 機械生物學