粉末原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
粉體包覆（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限...
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技...
PALD廠家 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)PALD廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉...
粉末ALD廠家 參考價(jià)：面議
粉末ALD廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具...
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔室高真空等離子體ALD設(shè)備是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用...
ALD 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...
原子層沉積設(shè)備廠家 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...
原子層沉積系統(tǒng)廠家 參考價(jià)：面議
原子層沉積系統(tǒng)廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...
桌面式原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...
粉末原子層沉積 參考價(jià)：面議
粉末原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具...
等離子體原子層沉積 參考價(jià)：面議
雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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