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無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第21年

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基于實(shí)際工況的車載芯片高低溫測(cè)試chamber溫度循環(huán)與沖擊測(cè)試的實(shí)踐

時(shí)間:2025/8/5閱讀:73
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車載芯片作為汽車電子系統(tǒng)的核心組件,其工作環(huán)境涵蓋從嚴(yán)寒到酷暑的苛刻溫度范圍,可靠性直接關(guān)系到車輛運(yùn)行安全。車載芯片高低溫測(cè)試chamber通過模擬各類苛刻溫度條件,驗(yàn)證芯片在溫度應(yīng)力下的性能穩(wěn)定性,成為車載芯片研發(fā)與量產(chǎn)環(huán)節(jié)的關(guān)鍵驗(yàn)證設(shè)備。

一、設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的核心要素

溫度控制性能是Chamber設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)指標(biāo)。根據(jù)車載芯片的應(yīng)用場(chǎng)景,設(shè)備需覆蓋較寬的溫度區(qū)間,以模擬不同氣候區(qū)域的苛刻環(huán)境。溫度控制精度需保持在較小波動(dòng)范圍內(nèi),確保在設(shè)定溫度點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)具有可重復(fù)性。溫度變化速率需支持多檔調(diào)節(jié),既能模擬車輛快速啟動(dòng)時(shí)的溫度驟變,也能復(fù)現(xiàn)晝夜緩慢的溫度波動(dòng),滿足不同測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求。

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結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需兼顧環(huán)境穩(wěn)定性與操作安全性。Chamber腔體采用全密閉結(jié)構(gòu),內(nèi)壁選用耐腐蝕材料以抵抗長(zhǎng)期溫度循環(huán)造成的損耗,外層通過多層保溫設(shè)計(jì)減少熱量傳遞,避免外壁結(jié)露或溫度過高。門體密封采用專用密封件與輔助密封技術(shù),確保在低溫狀態(tài)下的密封性,防止外界濕氣進(jìn)入腔體導(dǎo)致結(jié)霜。內(nèi)部氣流循環(huán)系統(tǒng)通過優(yōu)化風(fēng)道設(shè)計(jì),配合多組氣流調(diào)節(jié)裝置,實(shí)現(xiàn)腔體內(nèi)部溫度的均勻分布,減少不同測(cè)試位置間的溫差。

安全防護(hù)系統(tǒng)需符合汽車電子測(cè)試的嚴(yán)苛規(guī)范。設(shè)備配備單獨(dú)的超溫保護(hù)機(jī)制,當(dāng)腔體溫度超出設(shè)定范圍時(shí),能自動(dòng)切斷加熱與制冷系統(tǒng)并觸發(fā)預(yù)警。制冷回路安裝壓力監(jiān)測(cè)裝置,實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)壓力變化,避免異常壓力對(duì)設(shè)備造成損害。電氣系統(tǒng)采用多重絕緣設(shè)計(jì),配備漏電保護(hù)與過載保護(hù)功能,確保操作人員安全。此外,設(shè)備需設(shè)置緊急停止裝置,在突發(fā)的情況下可立即終止測(cè)試流程,保護(hù)被測(cè)芯片與設(shè)備本身。

二、測(cè)試流程與案例解析

在車規(guī)級(jí)控制芯片的高低溫循環(huán)測(cè)試中,需按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行多輪溫度循環(huán)驗(yàn)證。測(cè)試前需對(duì)芯片進(jìn)行初始性能檢測(cè),記錄關(guān)鍵電性能參數(shù)。將芯片固定在專用測(cè)試夾具上,確保良好的熱傳導(dǎo)與電連接。測(cè)試程序設(shè)置為寬范圍溫度循環(huán),高低溫階段各保持一定時(shí)間,溫度變化速率按標(biāo)準(zhǔn)調(diào)節(jié),總循環(huán)次數(shù)根據(jù)芯片等級(jí)確定。測(cè)試過程中,設(shè)備按固定間隔對(duì)芯片進(jìn)行性能抽檢,監(jiān)測(cè)參數(shù)漂移情況。

針對(duì)車規(guī)級(jí)功率芯片的高溫老化測(cè)試,采用持續(xù)高溫應(yīng)力測(cè)試方案。測(cè)試前將芯片安裝在模擬實(shí)際應(yīng)用的基板上,接入散熱裝置以復(fù)現(xiàn)車載環(huán)境下的散熱條件。測(cè)試程序設(shè)置為高溫恒溫狀態(tài),持續(xù)時(shí)間根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)確定,期間按固定周期記錄芯片的關(guān)鍵參數(shù)。部分芯片在測(cè)試后期出現(xiàn)參數(shù)漂移超過標(biāo)準(zhǔn)值的情況,解剖分析顯示,高溫環(huán)境加速了內(nèi)部材料的老化,導(dǎo)致性能退化。

在車載雷達(dá)芯片的溫度沖擊測(cè)試中,采用快速溫度變化方案。設(shè)備溫度變化速率按標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置,高低溫停留時(shí)間根據(jù)芯片特性確定,循環(huán)次數(shù)滿足行業(yè)要求。測(cè)試過程中通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)雷達(dá)芯片的發(fā)射與接收性能,發(fā)現(xiàn)部分芯片在多次循環(huán)后出現(xiàn)靈敏度下降。進(jìn)一步驗(yàn)證表明,溫度沖擊導(dǎo)致芯片內(nèi)部射頻鏈路的參數(shù)漂移,主要原因是不同材料的熱膨脹系數(shù)差異在反復(fù)應(yīng)力下產(chǎn)生結(jié)構(gòu)變化。

車載芯片高低溫測(cè)試chamber的設(shè)計(jì)與應(yīng)用需緊密結(jié)合汽車電子行業(yè)的可靠性標(biāo)準(zhǔn),通過準(zhǔn)確的溫度控制、完善的安全防護(hù)與規(guī)范的測(cè)試流程,為芯片質(zhì)量驗(yàn)證提供可靠支撐。


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