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深圳市矢量科學儀器有限公司

  • Beneq C2R--空間原子層沉積ALD

    Beneq C2R 將等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產。由于采用等離子體增強旋轉原子層沉積工藝...
    型號： 所在地：芬蘭 參考價： 面議 更新時間：2025/6/6 7:03:32 對比

  • 原子層沉積儀器ALD

    用于電池、太陽能和柔性電子產品的功能性原子層沉積涂層，是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態電池的陰極和陽極的鈍化，用于柔性太陽...
    型號： Genesis A... 所在地：臺北市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 21:46:58 對比

  • 8英寸等離子體增強化學氣相沉積設備

    詳細介紹Shale® A系列等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD），通過平行電容板電場放電產生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較...
    型號： Shale... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 21:35:35 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體化學氣相沉積設備

    Shale® C系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產生偏壓，可...
    型號： Shale... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 21:33:51 對比

  • 電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設備

    詳細介紹CCP腔室適用于制造微納結構的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產生化學反應，生成可揮發產物后，隨真空抽氣...
    型號： Haasrode&... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 21:31:59 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體刻蝕設備

    詳細介紹ICP是一種加工微納結構的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設備。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優...
    型號： Pishow... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 21:28:05 對比

  • 原子層沉積

    市場和應用用于電池、太陽能和柔性電子產品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態...
    型號： 捷尼賽思 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:55:57 對比

  • 超快速、高精度空間原子層沉積鍍膜

    超快速、高精度空間原子層沉積鍍膜Beneq C2R 是我們集群兼容設備系列的空間 ALD 成員。Beneq C2R 將等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 工...
    型號： 貝內克 C2R 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:51:59 對比

  • 原子層沉積研究設備

    TFS 500 是薄膜鍍膜應用的理想選擇。作為第一個 Beneq 反應器模型，已被證明是用于深入研究原子層沉積研究和穩健批處理的多功能工具。TFS 500 是多...
    型號： TFS 500 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:47:54 對比

  • 原子層沉積研究設備

    Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺，專為學術研究和企業研發而設計。Beneq TFS 200 經過專門設計，可最大限度地減少多用戶...
    型號： TFS 200 所在地：芬蘭 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:43:19 對比

  • ALD

    Beneq Transform 300 是一個高度通用的制造平臺，面向致力于 CIS、電源、Micro-OLED/LED、先進封裝和其他 MtM 應用的 IDM...
    型號： Beneq Tra... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:25:29 對比

  • 碳化硅沉積系統

    碳化硅沉積系統G10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場上最高的晶圓產量 / m2市場上晶圓出色的運行過程...
    型號： G10-碳化硅 所在地：德國 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:21:30 對比

  • 化合物半導體沉積系統

    化合物半導體沉積系統“行星式反應器模塊，用于在150/200毫米襯底（Si/藍寶石/SiC）上應用氮化鎵，可提高生產率和晶圓性能"
    型號： AIX G5+ C 所在地：德國 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:12:40 對比

  • 化合物半導體沉積系統

    化合物半導體沉積系統AIX G5 WW C“下一代碳化硅電力電子器件的最佳性能，以應對全球大趨勢"高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。
    型號： AIX G5 WW... 所在地：德國 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:08:47 對比

  • 化合物半導體沉積系統

    化合物半導體沉積系統AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光電子學和射頻應用的 HVM 最佳反應器"
    型號： AIX 2800G... 所在地：德國 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:05:13 對比

  • 金屬有機源氣相沉積系統

    金屬有機源氣相沉積系統MOCVD主要由真空室反應系統、氣體（載氣與氣相有機源）輸運控制系統、有機源蒸發輸運控制系統、電源控制系統、尾氣處理及安全保護報警系統組成...
    型號： MOCVD 所在地：沈陽市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 19:03:08 對比

  • 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統

    產品概述：高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由真空反應室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。設備...
    型號： 線列式PECVD 所在地：沈陽市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 18:59:08 對比

  • 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統

    高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽...
    型號： Cluster P... 所在地：沈陽市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 18:54:49 對比

  • 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統

    產品概述：系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電...
    型號： PECVD 所在地：沈陽市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 18:52:34 對比

  • 高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積

    高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。本...
    型號： PECVD 所在地：沈陽市 參考價： 面議 更新時間：2025/6/5 18:48:50 對比
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