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半導體行業

      發布時間:2025-01-03
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在制造半導體芯片的絕緣層(如二氧化硅薄膜)時,常用的化學氣相沉積方法是使用硅烷(SiH?)和氧氣(O?)作為反應氣體。氣體質量流量控制器(MFC)精確控制硅烷和氧氣的流量,確保它們以準確的比例進入反應室。這對于生成高質量、均勻的二氧化硅薄膜至關重要。因為薄膜的厚度、成分和質量直接影響半導體器件的性能,如絕緣性能和電子遷移特性。
應用產品
MFC300-03A

氣體質量流量控制器

MFC300-03D

氣體質量流量控制器

MFC330-05E

氣體質量流量控制器

MFC330-05S

氣體質量流量控制器

MFM330


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