JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修訂版。
標準內適用的文件：
    EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits
    EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices（硅半導體器件的失效機理和模型）

    試驗室溫度應保持在特定溫度的+/- 5℃內
    zui大電源電壓應遵守規格書內的規范；zui大額定電壓和zui大額定結溫，一般由制造商根據特定的設備或技術給定。

1. 應力持續時間
    由內部質量要求、EIA/JESD 47 或適當的采購文件制定。

2. 應力條件（持續提供）
（1）環境溫度
    除特殊要求，高溫應根據zui小結溫在125℃以下調整；除特殊要求，低溫zui大值為-10℃。
（2）工作電壓
    一般工作電壓應為器件規定的zui大工作電壓。可以使用更高的工作電壓，以便從電壓和溫度上加速壽命試驗，但一定不能超過zui大額定電壓。

3. 偏置配置
    包括靜態或脈沖應力和動態應力。
    根據偏置配置、電源電壓、輸入電壓是接地或上升到zui大值的選擇來確定應力溫度，但不高與zui大額定結溫。
    器件輸出可加負載也可不加負載，以達到特定的輸出電平。
（1）HTFB（高溫正向偏置試驗）
    一般用在功率器件、二極管和分立晶體管器件，不用在集成電路。
    設定在靜態或脈沖正向偏壓模式。脈沖模式用來驗證器件在zui大額定電流附近承受的應力。特定的偏置條件應由器件內固體結的zui大數量來決定。
（2）HTLO/LTOL（高溫工作壽命試驗/低溫工作壽命試驗）
    HTOL一般用在邏輯或存儲器件；LTOL一般用來尋找熱載流子引起的失效，或用來試驗存儲器件或亞微米尺寸的器件。
    器件工作在動態工作模式。
    一般，一些輸入參數也許被用來調整控制內部功耗，例如電源電壓、時鐘頻率、輸入信號等，這些參數也許工作在特定值之外，但在應力下會產生可預見的和非破壞性的行為。
    特定的偏置條件應由器件內潛在的zui大數量的工作節點確定。
（3）HTRB（高溫反向偏置試驗）
    HTRB用來試驗功率器件。
    器件一般工作在靜態測試模式，試驗在zui大額定擊穿電壓和/或電流附件器件承受的應力。
（4）HTGB（高溫們偏置試驗）
    HTGB一般用在功率器件試驗。
    器件一般工作在靜態模式，試驗在zui大額定氧化物擊穿電壓附件器件承受的應力。

4. 冷卻
    在移除偏置前，高溫應力下的器件應冷卻到55℃以下。
    為了移動器件到與壽命測試的試驗室分離的冷卻位置上而中斷偏置長達一分鐘的情況不應視為移除偏置。
    所有制定的電子測量應在所有器件重加熱錢完成。

**偏置是指加載到電源引腳上的電壓。