在半導體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發、生產與品控中，精準、高效、可靠的測量系統是確保器件性能達標、加速產品上市的關鍵。天恒科儀功率器件測量系統集硬件與智能軟件于一體，為功率半導體行業提供測試解決方案。

核心優勢與設計亮點

多場景廣泛適配：

探針臺支持主流6英寸、8英寸、12英寸晶圓滿足不同研發與生產階段需求。

高溫卡盤兼容Banana、BNC、SMA、TRAX、HVTRAX等多種測試接口，輕松對接各類測試環境。

直流、脈沖、高壓、大電流、高頻探針均可靈活配置，覆蓋各類功率器件的測試信號需求。

精度與穩定性：

微米級運動控制： XYZ軸微調精度達1μm，探針平臺微調精度1μm，確保定位精準，接觸可靠。

精密溫度控制： 高溫卡盤溫度分辨率0.1°C，穩定性±0.1°C (PID算法)，為高溫特性測試提供穩定基底。

高分辨率成像： 0.5μm光學分辨率，配合2000萬像素高清相機，實現微觀結構精確定位與測量。

強大參數覆蓋與智能軟件：

超寬電氣范圍： IV/CV儀表支持±10kV高壓、±1500A大電流，多頻CV測量范圍1kHz-5MHz。

高測量精度： 電壓分辨率200μV，電流分辨率10μA

智能化測試軟件： 提供實時IV曲線、CV曲線顯示，強大的參數設置（掃描模式、步長、延遲、循環）、數據濾波、自動量程調整、積分時間控制等功能，支持GPIB、RS232、USB、LAN通訊。

詳細參數解析

精密探針臺系統：

高速精準定位： XY軸快速移動行程8x8英寸，自動尋址；微調精度1μm。Z軸微調精度1μm。

高溫卡盤系統：

同軸結構設計： 支持背帶電測試，減少引線電感影響，提升高頻、大電流測試精度。采用PID算法 實現室溫至+400°C寬范圍、高穩定性的溫度控制。

高性能IV/CV儀表：

極限參數能力： ±10kV高壓、±1500A大電流輸出與測量能力，滿足功率器件靜態、動態參數測試需求

選型指南：

應用領域

晶圓級測試(Chip Probing)：

在研發階段快速篩選器件原型，評估工藝參數影響。

在生產線上進行晶圓級分選(Wafer Sort)，剔除不良品，提升后端封裝良率。

功率器件研發與特性分析：

全面表征器件靜態參數（IV特性：BVdss, Rds(on), Vth, Igss等）和動態參數

研究器件在不同溫度下的性能表現

功率模塊測試與驗證：

對封裝完成的功率模塊（如IGBT模塊、SiC模塊）進行單體或半橋/全橋功能測試與參數驗證。

新能源與工業應用器件檢測：

服務于光伏逆變器、新能源汽車電驅&OBC、工業變頻器、充電樁等領域的核心功率半導體器件（Si基, SiC, GaN）的研發、來料檢驗( IQC) 和失效分析(FA)。