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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用圧力表與應(yīng)用環(huán)境

來源:昆山瑞騰精密自動化有限公司   2025年08月14日 12:06  

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用圧力表與應(yīng)用環(huán)境


半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通常需要使用高精度、高潔凈度、耐腐蝕的壓力表,以滿足其精密制造工藝和嚴(yán)苛生產(chǎn)環(huán)境的要求。具體如下:


按類型分類:

數(shù)字壓力表:如長野福田的半導(dǎo)體行業(yè)專用小型數(shù)字壓力表 ZT67,體積小巧(30mm 見方),顯示清晰,有 BA、UC 等級可選擇,測壓范圍廣(-0.1~1MPa、0~1MPa 等多種范圍可選),可用于半導(dǎo)體設(shè)備真空室、干燥泵、氣體供給線等部位。

電接點壓力表:例如麥克傳感器的 MPM802UHP 型超高純電接點壓力表,適用于半導(dǎo)體行業(yè)高純氣體壓力監(jiān)測,可在壓力達到設(shè)定值時發(fā)出電信號,實現(xiàn)壓力的控制和報警功能,常用于需要對壓力進行精確控制的場合。

超高純壓力表:雅斯科的 Ashcroft^{®} 50mm/63mm HPX 超高純壓力表,經(jīng)過超聲波清洗,不銹鋼結(jié)構(gòu)和接液元件適用于半導(dǎo)體工業(yè)氣體應(yīng)用,能滿足超高純度氣體輸送系統(tǒng)的測量需求。


按材質(zhì)分類:

不銹鋼壓力表:由于半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中涉及多種氣體和液體,部分具有腐蝕性,因此常使用 316L 不銹鋼材質(zhì)的壓力表。如雅斯科的部分壓力表采用高純度奧氏體 316L 不銹鋼,可減輕氫脆影響,且接液部件為 316L 不銹鋼的壓力表能適應(yīng)多種腐蝕性介質(zhì)。

氟聚合物涂層壓力表:對于一些特殊腐蝕性氣體或液體的測量,會使用帶有氟聚合物(PTFE/PFA)涂層的壓力表,其具有良好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性,可有效保護壓力表內(nèi)部部件不受腐蝕。


按特性分類:

高潔凈度壓力表:半導(dǎo)體生產(chǎn)對環(huán)境潔凈度要求很高,壓力表需經(jīng)過特殊處理,如每臺產(chǎn)品都經(jīng)過泄漏檢測(>5 x 10^{-11} mbar L/s)以及雙重包裝處理等,確保完整性和潔凈度,像雅斯科的部分壓力表在 100 級潔凈室中組裝和包裝。

高精度壓力表:半導(dǎo)體工藝對壓力控制精度要求嚴(yán)格,通常需要精度較高的壓力表,如 Ashcroft ^{®} ZT/ZX 系列高純壓力傳感器基于 CVD 傳感元件平臺,可提供 ±1.0% 滿量程精度(參考溫度為 23°C)。


半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用壓力表的應(yīng)用環(huán)境極為嚴(yán)苛,需適應(yīng)高精度、高潔凈度、強腐蝕性及復(fù)雜介質(zhì)等多重要求,具體可從以下幾個關(guān)鍵維度分析:


一、超高潔凈度環(huán)境

潔凈室標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體生產(chǎn)多在 Class 1~100 級潔凈室(每立方英尺空氣中粒徑≥0.5μm 的粒子數(shù)≤100 個)中進行,壓力表需滿足嚴(yán)格的潔凈要求:

表面無殘留污染物:需經(jīng)過超聲波清洗、脫脂處理,避免粒子脫落污染晶圓或工藝氣體。

密封性能優(yōu)異:泄漏率需控制在極低水平(通常≤5×10?11 mbar?L/s),防止外部雜質(zhì)滲入氣體管路。


二、腐蝕性與特殊介質(zhì)環(huán)境

接觸介質(zhì)特性:半導(dǎo)體工藝中涉及多種腐蝕性氣體(如氯氣、氟化氫)、高純化學(xué)品(如硫酸、氨水)及高溫蒸汽,因此壓力表需具備:

耐腐蝕性材質(zhì):接液部件多采用 316L 不銹鋼(抗氫脆、耐酸堿)、PTFE/PFA(氟聚合物,耐強腐蝕),部分更高要求的產(chǎn)品還會進行表面鈍化處理(如電解拋光)。

兼容性設(shè)計:避免與介質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),例如測量氨氣時需避免銅材質(zhì)(會生成易爆的氮化銅)。

典型應(yīng)用:濕法刻蝕設(shè)備的化學(xué)品輸送管路、廢氣處理系統(tǒng)的壓力監(jiān)控。


三、寬壓力范圍與高精度控制需求

壓力區(qū)間跨度大:涵蓋從超高真空(如離子注入機,壓力低至 10?? Pa)到高壓(如氣體鋼瓶輸送,壓力可達 10MPa 以上)的測量需求,壓力表需在不同區(qū)間內(nèi)保持穩(wěn)定精度(通常要求 ±0.1%~±1% FS)。

動態(tài)壓力環(huán)境:部分工藝(如快速熱退火)中壓力會快速波動,要求壓力表響應(yīng)速度快(毫秒級),避免滯后導(dǎo)致工藝偏差。

應(yīng)用場景:真空系統(tǒng)(分子泵、擴散泵)的壓力調(diào)節(jié)、氣體流量控制器(MFC)的壓力配套監(jiān)測。


四、強電磁干擾與振動環(huán)境

電磁兼容性(EMC):半導(dǎo)體設(shè)備(如射頻濺射機、等離子刻蝕機)會產(chǎn)生強電磁輻射,壓力表需通過 EMC 認證(如 CE、FCC),確保在高頻電磁場中測量數(shù)據(jù)穩(wěn)定,不受干擾。

抗振動性能:設(shè)備運行(如真空泵、機械臂運動)會產(chǎn)生持續(xù)振動,壓力表需具備抗震結(jié)構(gòu)(如充液阻尼、彈性元件加固),避免指針或電子元件因振動損壞,測量精度下降。


五、高溫或低溫環(huán)境

溫度波動范圍廣:部分工藝環(huán)節(jié)(如薄膜沉積腔室)溫度可達 300~1000℃,而氣體輸送管路可能處于常溫或低溫(如液化氣體存儲),壓力表需:

耐溫范圍寬:通常要求 - 40℃~125℃(部分高溫型號可達 200℃以上)。


總結(jié)

半導(dǎo)體用壓力表的應(yīng)用環(huán)境核心是“精密化”—— 既要耐受腐蝕性、高溫、強電磁等惡劣條件,又要在超高潔凈環(huán)境中保持高精度、低污染,因此其設(shè)計需針對半導(dǎo)體工藝的特殊性進行定制化優(yōu)化,是保障芯片制造良率的關(guān)鍵輔助設(shè)備之一。




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