傳統直流I-V測試方法常因自熱效應和電荷捕獲效應導致測量結果嚴重失真，尤其對于功率器件、新型化合物半導體等。

TH-PMU超快速脈沖IV測試模塊，以其高速、高精度、雙通道同步的性能，打破了測量失真這一行業痛點。

核心優勢

消除自熱與漂移：

采用超快速脈沖激勵與同步測量技術，在極短的脈沖高電平（最小10ns）內完成測試。

顯著降低器件自熱效應，避免結溫升高導致的參數偏移。

極大減少電荷捕獲/釋放引起的電流漂移，獲取更接近器件本征特性的數據。

雙通道獨立同步：

配備兩個獨立且嚴格同步的高速脈沖I-V源和測量通道。

支持復雜測試場景，如雙脈沖測試（評估動態導通電阻Rds(on)的關鍵方法）、多電平脈沖測試等。

可同時對器件的不同端口或不同器件施加脈沖并測量，提升測試效率與靈活性。

高速與精度并存：

最小脈沖寬度低至10ns，可模擬高速開關環境。

最小測量窗口僅20ns，精確捕捉脈沖平臺期信息。

超低噪聲（電流200pA，電壓1mV） 與寬動態范圍（電壓±40V，電流±800mA） 結合，確保在極短時間內也能獲得高信噪比、高精度的測量結果。

瞬態波形捕獲能力：

不僅支持脈沖平臺期的I-V點測試，更能捕獲完整的瞬態電壓/電流波形。

為分析器件的開關特性、過沖/振鈴現象、柵極電荷特性等提供關鍵數據。

參數亮點解讀

10ns脈沖寬度 + 20ns測量窗口：

實現真正超快速測試的核心，能在熱量積累和電荷狀態發生顯著變化前完成測量。

200pA電流噪聲 / 1mV電壓噪聲：

在ns級的測量窗口內實現如此低的噪聲水平，體現了的信號調理與采集技術。

100ns/30ns穩定時間：

保證了在施加脈沖后，系統能快速達到可進行精確測量的穩定狀態，提升測試效率。

±40V/±800mA范圍：

寬泛的驅動能力使其適用于廣泛的半導體器件，特別是功率MOSFET、IGBT、GaN HEMT、SiC MOSFET、二極管以及各類新興器件的表征。

典型應用場景

功率半導體器件動態表征：

動態導通電阻Rds(on)測量：評估開關過程中的真實導通損耗

閾值電壓Vth漂移測試： 研究高溫、高柵壓應力下的閾值穩定性

第三代半導體器件分析：

GaN HEMT / SiC MOSFET特性分析： 克服其固有的強自熱效應和陷阱效應，獲取準確的轉移特性、輸出特性、跨導等。

柵極可靠性測試： 評估在快速開關應力下柵極參數的退化。

射頻器件與模型驗證：

大信號IV特性捕獲： 為非線性模型（如EEHEMT, Angelov）提供精確的脈沖IV數據。

熱依賴性分析： 分離電學特性與熱學效應的影響。

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