濕法單片清洗機(jī)是半導(dǎo)體生產(chǎn)線上的關(guān)鍵工藝設(shè)備，專為去除晶圓表面污染物（如光刻膠殘留、金屬離子、顆粒物及有機(jī)物）而設(shè)計(jì)。區(qū)別于傳統(tǒng)批量清洗方式，其采用“單片獨(dú)立處理”模式，通過精確控制的化學(xué)液流與物理作用相結(jié)合的方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)每片晶圓的高精度清潔，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、存儲(chǔ)器件、功率半導(dǎo)體及封裝等領(lǐng)域。

核心產(chǎn)品特點(diǎn)

精準(zhǔn)可控的清洗工藝

動(dòng)態(tài)噴淋系統(tǒng)：配備多角度可調(diào)噴嘴矩陣，確保化學(xué)試劑均勻覆蓋晶圓表面，包括復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)（如FinFET晶體管溝槽、3D NAND孔洞）。流量精度可達(dá)±1%，避免局部過蝕或清洗不足。

超聲波/兆聲波增強(qiáng)技術(shù)：高頻振動(dòng)產(chǎn)生空化效應(yīng)，有效剝離頑固光刻膠和微小顆粒，尤其適用于制程中高深寬比結(jié)構(gòu)的清洗需求。例如，在7nm節(jié)點(diǎn)以下工藝中，兆聲波可穿透極窄間隙實(shí)現(xiàn)無損傷清洗。

溫度閉環(huán)控制：集成加熱模塊與冷卻回路，支持室溫至85℃寬范圍調(diào)溫，優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)速率并抑制揮發(fā)性溶劑逸散。典型配置如硫酸雙氧水混合液（SPM）清洗時(shí)，恒溫環(huán)境可提升氧化反應(yīng)效率達(dá)30%。

智能化過程管理

配方驅(qū)動(dòng)型操作界面：內(nèi)置多種預(yù)設(shè)工藝曲線（如RCA標(biāo)準(zhǔn)流程、自定義多步清洗序列），用戶可根據(jù)材料特性靈活調(diào)用或編輯參數(shù)組合。例如，針對(duì)銅互連層的清洗需避免酸性溶液腐蝕屏障層，系統(tǒng)自動(dòng)匹配中性螯合劑配方。

實(shí)時(shí)監(jiān)控與反饋調(diào)節(jié)：搭載光學(xué)傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶背污染度變化，結(jié)合電導(dǎo)率儀分析廢液成分，動(dòng)態(tài)調(diào)整清洗時(shí)間和藥劑濃度，確保批次間一致性。部分機(jī)型引入AI算法，基于歷史數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)工藝窗口。

材料兼容性與低損傷設(shè)計(jì)

多材質(zhì)適配能力：支持硅基、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體清洗，通過更換耐腐蝕性內(nèi)腔材質(zhì)（如PVDF涂層）和特殊夾具設(shè)計(jì)，滿足不同熱膨脹系數(shù)材料的固定需求。

邊緣保護(hù)機(jī)制：采用邊緣排斥技術(shù)（Edge Exclusion Zone），減少藥液對(duì)晶圓背面金屬層的侵蝕，同時(shí)配合氮?dú)饽缓煾艚^大氣接觸，防止氧化副產(chǎn)物生成。這一設(shè)計(jì)使薄片化趨勢(shì)下的扇出型封裝成為可能。

環(huán)保與成本效益平衡

超純水循環(huán)利用系統(tǒng)：通過多級(jí)過濾（UF+RO）實(shí)現(xiàn)DIW回收率超90%，降低耗材成本；廢氣處理裝置采用吸附塔捕獲揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs），排放濃度低于歐盟標(biāo)準(zhǔn)限值。

模塊化架構(gòu)擴(kuò)展性：支持在線升級(jí)功能模塊（如新增等離子預(yù)處理單元），延長設(shè)備生命周期。例如，某型號(hào)可通過加裝臭氧注入組件轉(zhuǎn)型為氧化清洗系統(tǒng)，無需更換主機(jī)平臺(tái)。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

光刻后去膠：快速溶解正性/負(fù)性光刻膠而不攻擊底層介質(zhì)層，為后續(xù)刻蝕或離子注入做準(zhǔn)備；

CMP拋光前預(yù)處理：去除研磨產(chǎn)生的聚合物碎屑，提升拋光均勻性；

WLP晶圓級(jí)封裝：清洗重布線層（RDL）間的殘膠，確保凸點(diǎn)可靠性；

失效分析支持：用于DECAP實(shí)驗(yàn)前的精準(zhǔn)延遲蝕刻，輔助故障定位。