晶圓再生清洗是半導體制造過程中至關重要的環節，其目的是去除表面污染物以確保后續工藝的準確性和器件性能。以下是常見的晶圓再生清洗方法及其技術特點：

濕法清洗（主流方案）

RCA清洗法

SC-1（APM）：使用氨水、過氧化氫和水的混合液，主要去除有機污染物及細顆粒，并在表面形成薄氧化硅層35；典型配比為NH?OH:H?O?:H?O = 1:4:20，溫度約80°C。

SC-2（HPM）：采用鹽酸、過氧化氫和水的混合溶液，針對金屬離子污染進行清洗，留下鈍化層防止二次污染35；常用配比為HCl:H?O?:H?O = 1:1:6，溫度控制在85℃左右。

吡拉尼亞清洗法（Piranha Etch Clean）：通過硫酸與過氧化氫的強氧化性混合溶液（典型比例3:1或4:1）高效分解頑固有機物和光刻膠殘留，適用于高精度要求的工藝步驟3。需嚴格控制溫度以避免損傷晶圓。

氫氟酸基清洗

稀氫氟酸（DHF）：用于去除自然氧化層，配比通常為HF:H?O = 1:50，常溫操作；

緩沖氫氟酸（BHF）：含NH?F的緩沖體系可更溫和地剝離氧化膜，減少對基底材料的腐蝕風險。

超聲波/兆聲波清洗：利用高頻聲波在液體中產生空化效應，破壞顆粒與晶圓表面的結合力。其中兆聲波因更高頻率能處理亞微米級顆粒且不損傷表面，尤其適合制程。

干法清洗

等離子清洗：通過等離子體中的活性粒子與污染物反應實現去污，無需化學溶劑，適用于保持表面完整性的場景。常用于去除結構復雜的二氧化硅層，但對污染物類型選擇性較強。

臭氧清洗（Ozone Cleaning）：基于臭氧的強氧化性分解有機物為二氧化碳和水，環保且無化學殘留。逐漸替代傳統溶劑型清洗，成為新興趨勢。

輔助工藝與設備

預清洗階段：先以去離子水（DI Water）初步沖洗大顆粒雜質，再結合超聲波松動附著物，為后續深度清洗做準備。

終清洗與干燥

去離子水漂洗：清除殘留化學品；

臭氧水強化處理：進一步氧化微量有機物；

旋轉甩干+氮氣吹掃：高速離心脫水后用惰性氣體確保表面干燥，避免水痕再污染。

自動化系統應用：現代產線多采用單片式清洗設備替代傳統批量處理，提升均勻性和良率控制能力，尤其適配大尺寸晶圓及高復雜度工藝需求5。

實際生產中通常根據污染物類型組合多種方法，例如先用物理手段松動顆粒，再通過化學反應溶解特定物質，最后用高純度介質保障潔凈度。隨著制程節點向納米級演進，清洗技術正朝更高精度、更低環境影響的方向發展。