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12英寸金屬刻蝕機
NMC 612G 12英寸金屬刻蝕機，可用于鋁、硅，氧化物、鉬、氧化銦錫等多種材料刻蝕。
型號： NMC 612G 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:48:12 對比

12英寸金屬刻蝕機 NMC 612G 北方華創
立式/臥式管舟清洗設備
Bpure系列立式/臥式管舟清洗設備，全自動清洗，浸泡式清洗與噴淋式清洗工藝可選。
型號： Bpure系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:46:21 對比

立式/臥式管舟清洗設備 Bpure系列北方華創
8英寸立式爐
FLOURIS 201系列 8英寸立式爐，高精度溫度場控制技術，可實現 1200℃ 內氧化退火工藝。
型號： FLOURIS 2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:44:42 對比

8英寸立式爐 FLOURIS 201系列退火爐北方華創
碳化硅高溫退火爐
VERIC A6151A 碳化硅高溫退火爐適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設備
型號： VERIC A61... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:42:54 對比

碳化硅高溫退火爐 VERIC A6151A
碳化硅高溫氧化爐
VERIC A6151A 碳化硅高溫氧化爐，適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設備,最高溫度 2000℃，升溫速率可達 100℃/min,石墨電阻加熱，工藝腔室潔...
型號： VERIC A61... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:41:11 對比

VERIC A6151A 碳化硅高溫氧化爐退火爐北方華創
擴散/氧化系統
HORIC D200系列擴散/氧化系統，半導體客戶端機臺裝機量大,可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺,安全性能高：設備及所使用的元件符合國標和國際標準。
型號： HORIC D20... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:39:11 對比

HORIC D200系列擴散/氧化系統北方華創
臥式 LPCVD 氣相沉積系統
HORIC L200 系列臥式 LPCVD氣相沉積系統，半導體客戶端機臺裝機量大,可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺.可提供優良成熟的 MES 系統解決方案....
型號： HORIC L20... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:37:14 對比

HORIC L200 系列臥式 LPCVD 系統氣相沉積系統北方華創
熱原子層沉積系統
Scaler HK430 熱原子層沉積系統，填孔能力以及良好的薄膜均勻性,腔室結構設計，具備良好的防酸腐蝕能力。
型號： Scaler HK... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:35:34 對比

熱原子層沉積系統 Scaler HK430 北方華創
等離子化學氣相沉積系統
EPEE系列等離子化學氣相沉積系統單片和多片式架構，滿足量產和研發客戶需求高效遠程等離子體清洗系統，優異的顆粒控制.滿足量產和研發客戶需求.
型號： EPEE系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:33:56 對比

EPEE系列等離子化學氣相沉積系統
8英寸通用物理氣相沉積系統
eVictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統，加熱基座設計，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續作業無累溫。
型號： eVictor系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:32:04 對比

eVictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統北方華創
CCP介質刻蝕機
NMC 508系列 CCP介質刻蝕機，多頻解耦設計，實現優異的均勻性及高深寬比介質刻蝕。
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:29:43 對比

CCP介質刻蝕機 NMC 508系列北方華創
多功能刻蝕機
GSE C200 多功能刻蝕機等離子體源設計，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆粒控制能力強、易維護、性能穩定...
型號： GSE C200 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:27:24 對比

多功能刻蝕機 GSE C200 北方華創
電阻式碳化硅長晶爐
AGF系列電阻式碳化硅長晶爐，適用于 6、8 英寸，導電 / 高純半絕緣型 SiC 晶體生長。
型號： AGF系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:25:50 對比

電阻式碳化硅長晶爐 AGF系列北方華創
感應式碳化硅長晶爐
APS系列感應式碳化硅長晶爐，適用于 6 英寸、8 英寸，導電 / 高純半絕緣型 SiC 晶體生長。
型號： APS系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:23:41 對比

感應式碳化硅長晶爐 APS系列
碳化硅快速熱退火系統
Pallas A220 碳化硅快速熱退火系統，加熱分區設計，具備良好的溫度均勻性。
型號： Pallas A2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:21:38 對比

Pallas A220 碳化硅快速熱退火系統北方華創
12英寸單片快速熱退火系統
Sitara TA230A 12英寸單片快速熱退火系統，適用于 260-1200℃快速熱處理工藝。
型號： Sitara TA... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:19:54 對比

12英寸單片快速熱退火系統 Sitara TA230A 北方華創
多片碳化硅外延系統
MARS iCE120 多片碳化硅外延系統，產能大，6 英寸運營成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩定性高。
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:17:39 對比

多片碳化硅外延系統 MARS iCE120
碳化硅外延系統
MARS iCE115碳化硅外延系統主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術路線，應用優良的控溫、控壓算法和專業的進氣、混流結構，使得整個外延工藝過...
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:15:38 對比

碳化硅外延系統 MARS iCE115
多片式MOCVD系統
Satur系列多片式MOCVD系統，優異的均勻性、一致性、穩定性控制，MOCVD 即金屬有機物化學氣相沉積，是一種用于生長化合物半導體薄膜的技術。它通過將Ⅲ族...
型號： Satur系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:13:24 對比

Satur系列多片式MOCVD系統北方華創
12英寸單片減壓硅外延系統
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統，優異的氣流場和加熱場設計提供優良的工藝性能。
型號： Hesper I ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:10:59 對比

Hesper I E430R 外延系統

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