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超高真空磁控濺鍍設(shè)備超高真空環(huán)境的特徵為其真空壓力低於10^-8至10^-12Torr，且在化學(xué)、物理和工程領(lǐng)域十分常見。超高真空環(huán)境對於科學(xué)研究非常重要，因?qū)嶒炌ǔＲ笤谡麄€實驗的過程中，表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)並可使用較低能量的電子和離子的實驗技術(shù)使用，而不會受到氣相散射的干擾。SYSKEY可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統(tǒng)以提供高品質(zhì)的薄膜。

超高真空磁控濺鍍設(shè)備針對超高真空和高溫加熱設(shè)計的基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機構(gòu)，使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn)，並在內(nèi)部做水冷，來保護(hù)機構(gòu)以確保長時間運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定。

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
半導(dǎo)體類。納米科技。產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。氧化物、氮化物和金屬材料的研究。太陽能電池。光學(xué)研究。材料研究。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。腔體為使用金屬密封圈並可烘烤至150 ^oC。具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計和用於壓力控制的Baratron真空計。腔體的極限真空度約10^-10 Torr。
配置和優(yōu)點	選件
客製化基板尺寸，直徑可達(dá)12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。磁控濺鍍源（最多8個源），具有多種可選的靶材尺寸。具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源。射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導(dǎo)電與導(dǎo)電靶材。精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）。基板可加熱到1000°C。基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的。每個濺鍍源和基板均安裝遮板。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。結(jié)合離子源、熱蒸發(fā)源、電子束...。基板可用射頻或直流偏壓。膜厚監(jiān)測儀。射頻等離子清潔用於基材。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。

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