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連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備
  • 連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備
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更新時間:2025-05-29 21:00:08

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簡要描述:連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備:In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個或多個濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積。其基板沿著軌道穿過各個真空腔內(nèi)。

連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備 In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個或多個濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積。其基板沿著軌道穿過各個真空腔內(nèi)。

連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備其電漿產(chǎn)生器有許多種類並且每一種都可使用,例如射頻電源、直流電源或脈衝直流電源。 還可以容納諸如濺鍍蝕刻、基板加熱或電漿清洗之類的可選步驟,並且具有完整的儀器和控制裝置可用於金屬導(dǎo)電薄膜、電介質(zhì)、光學(xué)薄膜或其他濺鍍應(yīng)用。

SYSKEY的In-Line濺鍍沉積可精確控制其濺鍍製程條件,從而為客戶提供優(yōu)質(zhì)的薄膜。

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應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 奈米研究技術(shù)。

  • 產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查

  • 材料研究。

  • 太陽能電池。

  • 觸碰螢?zāi)?/span>

  • TFT-LCD。

  • 氧化物、氮化物和金屬材料的研究。

  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和

    其應(yīng)用。

  • 具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計和用

    於壓力控制的Baratron真空計。

  • 腔體的極限真空度約為10-7Torr。



配置和優(yōu)點選件
  • 客製化基板尺寸為1100 x 1300 mm2(玻璃)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5%。

  • 高沉積速率≥ 250nm/min和高效率陰極

  • 濺鍍功率:射頻 5kW,直流或脈衝直流20kW。

  • 具有高均勻的氣體分佈的流量控制器。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將基板加熱到400°C。

  • 水平或垂直濺鍍。

  • 基板載臺回流線。

  • 自動傳送機(jī)構(gòu)。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。



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