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刻蝕系統
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更新時間：2025-05-30 21:00:08

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簡要描述：刻蝕系統三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

刻蝕系統介紹

高產量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200 mm晶片的高產量工藝。

研發

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

刻蝕系統包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口?？梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。

用于研發的SENTECH多腔系統通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業領域高產量的多腔系統。



2-modules RIE cluster for etching of aluminum pads16-ports cluster for industrial application2-modules cluster of ICP-RIE SI 500 and cryogenic etcher SI 500 C with vacuum loadlock6-ports cluster with two SI 500 RIE modules, cassette station, and vacuum loadlock for research and Low temperature plasma deposition cluster6-port cluster with ICP-module,ALD-module, and cassette stationPlasma Cluster Configuration with dual chamber architecture6-port cluster with ICPCVD-module, 2x ICP module, and 2 cassette stations



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