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森泰克感應耦合等離子刻蝕機SI 500是一款由SENTECH（德國森泰克）公司研發并生產的電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統。該產品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設計，在半導體制造、微納加工等領域得到了廣泛應用。以下是對SI500產品的詳細介紹：

一、產品特點

低損傷納米結構刻蝕：

高速率刻蝕：

內置ICP等離子源：

動態溫控：

靈活性和模塊化設計：

二、應用領域

森泰克感應耦合等離子刻蝕機SI 500干法刻蝕系統廣泛應用于半導體制造、微納加工、MEMS制造等領域。它可以用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

三、產品規格

型號：SI500

品牌：SENTECH（德國森泰克）

產地：德國

工藝溫度范圍：根據不同型號，工藝溫度范圍有所不同，如-150°C至+400°C

晶圓尺寸：最大可處理200mm晶圓

四、總結

SI500作為一款先進的電感耦合等離子體干法刻蝕系統，以其低損傷、高速率、高精度以及靈活的模塊化設計，在半導體制造和微納加工領域展現出了的性能和廣泛的應用前景。無論是科研還是工業生產，SI500都能提供SI500是一款由SENTECH（德國森泰克）公司研發并生產的電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統。該產品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設計，在半導體制造、微納加工等領域得到了廣泛應用。以下是對SI500產品的詳細介紹：

一、產品特點

低損傷納米結構刻蝕：

高速率刻蝕：

內置ICP等離子源：

動態溫控：

靈活性和模塊化設計：

二、應用領域

SI500ICP干法刻蝕系統廣泛應用于半導體制造、微納加工、MEMS制造等領域。它可以用于加工各種材料，包括三五族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

三、產品規格

型號：SI500

品牌：SENTECH（德國森泰克）

產地：德國

最大晶圓片尺寸：200mm（部分型號可支持更大尺寸）

襯底溫度范圍：根據型號不同，可從-150°C至+400°C

自動化程度：提供不同級別的自動化裝置，從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口

四、總結

SI500作為一款先進的電感耦合等離子體干法刻蝕系統，以其低損傷、高速率、高精度和靈活性的設計特點，在半導體制造和微納加工領域展現出性能和廣泛的應用前景。無論是對于科研機構還是工業生產企業而言，SI500都是一個值得考慮的高性能刻蝕設備。SI500是一款由SENTECH（德國森泰克）公司研發并生產的電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統。該產品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設計，在半導體、MEMS、光電子學、納米技術等領域具有廣泛的應用。以下是對SI500產品的詳細介紹：

一、技術特點

低損傷納米結構刻蝕：由于等離子的能量分布低，SI500能夠實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕，特別適用于對材料表面質量要求高的應用場景。

高速率刻蝕：在MEMS制造工藝中，SI500能夠實現Si材料光滑側壁的高速高選擇比刻蝕，提高生產效率。

內置ICP等離子源：采用平板三螺旋天線（PTSA）等離子源，這是SENTECH離子工藝系統，能夠生成高密度低能量分布的等離子體，適用于多種材料的刻蝕工藝。

動態溫控：ICP襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態溫控，工藝溫度范圍可達-150°C至+400°C，確保刻蝕過程中的溫度穩定性和工藝質量。

二、應用領域

SI500ICP干法刻蝕系統可用于加工各種各樣的襯底，包括直徑高達200mm的晶片以及裝載在載片器上的零件。通過配置不同的工藝模塊，SI500可用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

三、設計特點

靈活性和模塊化：SI500的設計注重靈活性和模塊化，可以根據用戶需求進行配置和擴展。從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，實現高靈活性或高產量。

全自動控制：配備全自動控制的真空系統和遠程現場總線技術的SENTECH控制軟件，以及用戶友好的通用接口，使得操作更加簡便和高效。

高精度和穩定性：單晶片預真空室保證了穩定的工藝條件，并且切換工藝非常容易。動態溫度控制技術和高耦合效率的等離子源確保了刻蝕過程的高精度和穩定性。

四、產品型號

SI500系列提供了多種型號以滿足不同用戶的需求，包括但不限于：

SI500ICP等離子刻蝕機：帶預真空室，適用于200mm的晶片，襯底溫度從-20°C到300°C。

SI500C等溫ICP等離子刻蝕機：帶傳送腔和預真空室，襯底溫度從-150°C到400°C。

SI500RIE：RIE等離子刻蝕機，背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案，電容耦合等離子體源可升級成ICP等離子體源PTSA。

SI500-300ICP等離子刻蝕機：帶預真空室，適用于300mm晶片。

綜上所述，SI500作為一款先進的電感耦合等離子體干法刻蝕系統，以技術性能、廣泛的應用領域以及靈活的設計特點，在微納加工領域具有重要地位。