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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>化學氣相沉積設備>LPCVD-2 低壓化學氣相沉積系統LPCVD

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LPCVD-2 低壓化學氣相沉積系統LPCVD

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AngstromLPCVD

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上海麥科威半導體技術有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發儀器及設備的供應商,所銷售的儀器設備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領域的高科技企業。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術有限公司主要銷售產品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結爐;  - 電子束蒸發鍍膜機,熱蒸發鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統,等離子增強原子層沉積設備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統; - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業客戶:華為技術有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術, 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(常州),偉創力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業大學, 南京醫科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業技術學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術大學, 理化技術研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農業協同創新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導體設備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

1 產品概述:

     低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)是一種在低壓條件下,通過加熱使氣態化合物在基片表面反應并沉積形成穩定固體薄膜的技術。該系統在半導體制造、電力電子、光電子及MEMS等領域具有廣泛應用。LPCVD系統通過精確控制溫度、壓力及氣體流量等參數,能夠在基片表面形成均勻性良好的薄膜,滿足各種工藝需求。

2 設備用途:

LPCVD系統的主要用途包括:

  1. 薄膜沉積:用于淀積多種薄膜材料,如Poly-Si(多晶硅)、Si3N4(氮化硅)、SiO2(二氧化硅)、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等。這些薄膜在半導體器件、電力電子器件、光電子器件及MEMS結構中起著關鍵作用。

  2. 半導體制造:在半導體集成電路制造過程中,LPCVD系統用于形成柵極氧化物、表面鈍化層、氮化物應力緩沖層、犧牲氧化物層及阻擋氧化物層等關鍵結構。

  3. 光電子應用:在光電子領域,LPCVD系統用于制備光波導、可變折射率層、抗反射層等光學薄膜,提升器件性能。

3 設備特點

LPCVD系統具有以下特點:

  1. 低壓環境:在低壓條件下進行沉積,有助于減少氣體分子的碰撞和散射,提高薄膜的均勻性和質量。

  2. 高精度控制:系統采用先進的溫度、壓力及氣體流量控制技術,能夠精確控制沉積過程中的各項參數,確保薄膜的精確性和一致性。

  3. 多用途性:能夠沉積多種薄膜材料,滿足不同工藝需求,具有廣泛的適用性。

  4. 高效性:由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴散系數大,可采用密集裝片方式提高生產率。


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技術參數和特點:

1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求

2. 直徑200毫米的石英室

3. 內部石英管的設計便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可達直徑150毫米

5. 三區電阻爐,150毫米的均勻溫度區

6. 溫度高可達1000°C

7. 使用節流型VAT蝶形閥下游壓力控制在50 mTorr500 mTorr之間

8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 兩干式真空






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