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AT-400原子層沉積

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更新時間：2025-06-06 21:00:06

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AT-400原子層沉積廠家提供詳細的技術,規格信息。

　　AT-400原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器，化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此，AT-400原子層沉積是一種真正的“納米”技術，以精確控制方式實現納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性，因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

　　主要規格及技術指標：

　　1. 具有4路前驅體源。

　　2. 樣品基底zui大直徑4英寸。

　　3. zui大沉積溫度不高于300℃。

　　4. 使用氮氣做載氣，控制載氣流量10-1000 SCCM。

　　系統主要用于實驗室級的薄膜制備，特別是致力于有機發光顯示（OLED）的封裝和場效應晶體管（FET）的介質層的層積。

　　技術具有結合強度好、逐層沉積、膜層厚度*、成分均勻性好等許多優點,是一種*進的納米表面處理技術,具有廣闊的應用前景。但是,作為一項涉及多學科領域的新技術,有許多因素會影響沉積膜層的質量和生產效率,如前驅體材料、形核長大機制、薄膜結構、沉積速率、設備條件等等,其中,前驅體是工藝的基礎。

　　是一種*進的薄膜沉積技術。利用ald的技術特點和優勢，可設計合成新型高效納米催化劑，并可精確地調控催化劑的表界面結構。利用ald技術設計制備出一種多重限域的ni基加氫催化劑。與未限域的催化劑相比，多重限域的ni基催化劑對于肉桂醛以及硝基苯的加氫催化反應的活性、穩定性得到顯著的提高。

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