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德國韋氏納米系統有限公司

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PECVD沉積

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更新時間：2025-06-06 21:00:06

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KLA/科磊: 方塊電阻測量儀薄膜厚度測量儀表面缺陷檢測系統納米壓痕儀光學輪廓儀探針式輪廓儀

薄膜測量系統: 接觸角測量系統橢偏儀光譜反射儀薄膜應力測量系統

微組裝系統: WB-200 半自動引線鍵合機

Deposition沉積系統: AT-400原子層沉積

Megasonic Clean /兆聲清洗系統: 批量型兆聲清洗系統

測量儀器: 聲表面波SAW功率發生器

ECOPIA/韓國: HMS-3300霍爾效應測試儀 HMS-3000霍爾效應測試儀

Etching/等離子蝕刻系統: 等離子刻蝕ICP

Thin Film薄膜沉積系統: 高密度化學氣相沉積系統 PECVD沉積

美國杜邦Dupont: 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-CMP Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-Etch Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 LED, TSV, & WLP Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-Patterning Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑Emerging Cleans

Ethcing/等離子蝕刻系統: 等離子刻蝕ICP

Probe station/探針臺: 磁體探針臺低溫探針臺

紫外掩膜對準曝光系統: 紫外掩膜對準曝光系統紫外掩膜曝光機

快速退火爐: 快速退火爐

生命科學: 人體運動能耗監測儀

PIE scientific/美國: Semi-KLEEN Sapphire 等離子清洗機 SEMI-KLEEN UHV等離子體清洗機 Semi-KLEEN Quartz石英等離子體清洗機 EM-KLEEN等離子體清洗機 Tergeo-EM TEM/SEM 等離子體清洗機 Tergeo-Pro桌面等離子清洗機 Tergeo-Plus桌面等離子清洗機 Tergeo桌面等離子清洗機離子源氣體混配器多用途樣品清潔及儲存腔室 TEM 樣品架真空泵站

JFP microtechnic/法國: 檢測相機返工工作站激光疊片機 / 拆片機劃刻器 MPT手動拉力測試儀焊線機芯片鍵合機

OAI/美國: Model 32 UV LED 光源 Model 30 準直紫外光源及曝光系統 MCP-T710 電阻儀 MCP-T380通用便攜式電阻率儀 Model 659 紫外線光強與能量計 Model 308 紫外線光度計太陽能電池高性能測試夾具太陽能功率計集成式 IV 光伏測試系統 AML 原位對準晶圓鍵合機 CPV 聚光太陽模擬器 AAA 標準太陽模擬器 Model 6020 全自動掩模曝光機 Model 6000 生產型掩膜曝光機 Model 2000 邊緣去膠紫外泛光曝光機 Model 800E 紫外掩膜曝光機 Model 212 紫外掩膜曝光機 Model 200 紫外掩膜曝光機

Unitemp/德國: RSS-160-SC 緊湊型回流焊系統 2Z-HVS-200 高真空封裝機 2Z-HVS-100 高真空封裝機 VSS-650 真空焊接系統 RSS-3X210 緊湊型回流焊系統 RSO-300 真空燒結爐回流焊系統 RSO-210 真空燒結爐回流焊系統 VSS-450-300 臺式真空燒結爐 RSS-210-S 臺式真空燒結爐回流焊系統 RSS-110-S 迷你真空燒結爐回流焊系統 RSS-160-S 迷你真空燒結爐回流焊系統

NanoMagnetics/英國: USB 光纖干涉儀 hpSPM 掃描探針顯微鏡控制器 NMI 納米定位器 NMI 振動樣品磁力計 LT-AC/DC 臺式霍爾效應測量系統 XYZ 低溫壓電掃描儀 mK-CFM/RAMAN 低溫顯微鏡 LT-APO 低溫物鏡 NMI 低溫恒溫器 NV-中心共聚焦低溫顯微鏡 LT-sSNOM 低溫顯微鏡 LT-SHPM/STM 低溫顯微鏡 LT-AFM/MFM 低溫顯微鏡 hpAFM 原子力顯微鏡 ezSTM 掃描隧道顯微鏡 ezAFM+ 便攜式原子力顯微鏡 ezAFM 便攜式原子力顯微鏡光霍爾效應測試儀納秒瞬態吸收光譜儀

Reflow Oven /回流焊: 高真空MEMS焊封機

EXADDON: CERES 微納米級純金屬3D打印系統

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產品簡介詳細介紹

PECVD沉積廠家提供詳細的工藝氣體,原理信息。

　　Minilock-Orion III是一套的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統。系統的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

　　Minilock-Orion III用于有毒/發火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、無定形硅和碳化硅。工藝氣體：*硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、*基硅烷和甲烷。

　　該系統可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創建高密度等離子，從而控制薄膜應力。

　　基片通過預真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸，從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應室與大氣隔絕。

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