8寸槽式濕法清洗設備是半導體制造中關鍵的基礎工藝設備，專為8英寸晶圓的高效化學清洗而設計。其采用多槽串聯結構，集成標準化清洗工藝（如SC1、SC2、DHF等），可有效去除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬污染及氧化層，滿足從90nm到制程（如28nm）的清洗需求。設備結合自動化控制、流體力學優化與高潔凈度設計，兼具高產能、低缺陷率和工藝靈活性，廣泛應用于8~12英寸BCD芯片、MEMS、功率器件及封裝領域。

核心功能與技術優勢

多槽模塊化設計

設備由多個獨立槽體組成（如去膠槽、清洗槽、漂洗槽、干燥槽），支持定制化工藝組合，滿足不同污染物的去除需求。

槽體材質采用耐腐蝕PFA或PTFE涂層，兼容HF、H?O?、NH?OH等強腐蝕性化學品，確保長期穩定性。

高精度工藝控制

溫度與濃度管理：通過PID溫控系統（±0.5℃）和在線濃度監測（如折射儀），實時調節化學液參數，保證清洗均勻性。

流體動力學優化：采用溢流式循環或超聲波輔助清洗，減少晶圓表面殘留，提升邊緣區域清潔效果。

時間同步控制：各槽體工藝時間獨立可調，支持快速切換SC1/SC2等標準流程或自定義配方。

高效產能與自動化

單臺設備產能可達120~180片/小時（視工藝復雜度），支持24小時連續運行。

可選配自動上下料系統（如機械臂或Cassette-less接口），實現與前后道工序的無縫銜接，降低人工干預風險。

超潔凈度保障

顆?？刂疲翰垠w內部采用拋光處理（Ra<0.2μm），配合過濾系統（0.1μm~1μm），確?；瘜W液潔凈度達Class 10標準。

干燥技術：集成Marangoni干燥或IPA（異丙醇）甩干模塊，避免水痕殘留，顆粒添加量<5顆/cm2。

交叉污染防護：槽間隔離設計+DIW（去離子水）分級沖洗，防止工藝間化學殘留。

兼容性與擴展性

支持8~12英寸晶圓（需升級載具），適配正/負光刻膠去膠、鋁/銅金屬腐蝕、氧化物去除等多種場景。

可集成物聯網（IoT）模塊，實時上傳工藝數據（如清洗速率、缺陷分布），支持MES系統對接。

典型應用場景

90nm~28nm制程清洗：用于去除光刻后殘留膠、蝕刻后金屬污染及CVD/PVD薄膜生長前的基底清潔。

功率器件制造：硅基IGBT、碳化硅（SiC）MOSFET的背面金屬清洗與鈍化層去除。

MEMS工藝：體硅刻蝕后的深槽清洗及釋放結構的表面處理。

封裝：扇出型封裝（Fan-out）中的晶圓臨時鍵合/解合前清洗。

適用行業：集成電路制造、功率半導體、MEMS傳感器、封裝（FO-WLP、3D封裝）。

服務支持：提供工藝調試、耗材供應（清洗液、DIW過濾單元）、終身維護及升級改造方案